二氧化硅
時間：2024-08-22
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二氧化硅，高純二氧化硅顆粒，二氧化硅靶，二氧化硅蒸發(fā)材料，鍍膜專用二氧化硅
化學符號：SiO2沸 點：2230℃
純 度：4N
規(guī) 格：1-4mm,顆粒，靶材
分 子 量：60.08外 觀：白色
熔 點：1700℃
密 度：2.2-2.7g/cm3
在10-4Torr真空下蒸發(fā)溫度為：1025℃
透 明 區(qū)/nm：200-8000
相對介電常數(shù)：3-4
擊穿電壓/V？cm-1：106
厚 度μm：0.03-0.3
沉積技術：反應濺射
折 射 率(波長/nm)：1.46(500)
1.445(1600)
線膨脹系數(shù)/℃-1:5.5×10-7
蒸發(fā)方式：電子束
性 能： 可用鉭舟加熱蒸發(fā)，也可用三氧化二鋁坩堝加熱蒸發(fā)，但由電阻加熱蒸發(fā)會產(chǎn)生分解，由電子束加熱蒸發(fā)效果很好；不溶于水和酸，但溶于氫氟酸；其微粒能與熔融堿起作用；
應 用： 二氧化硅用途廣泛，主要用于冷光膜、防反膜、多層膜、濾光片、絕緣膜、眼鏡膜、紫外膜等。